主要內(nèi)容

硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池是未來(lái)光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向。稀有銦的有限供應(yīng)和銀漿的高成本是SHJ太陽(yáng)能電池將面臨的重要問(wèn)題之一。

為了克服銦基透明電極用于高效SHJ太陽(yáng)能電池的障礙，南開(kāi)大學(xué)張曉丹等人在室溫下通過(guò)濺射成功地制備了價(jià)格低且可批量生產(chǎn)的無(wú)摻雜氧化錫（SnOx）電極材料。利用其天然氧空位缺陷，制備的材料載流子遷移率和電阻率達(dá)到22?cm2?V-1?s-1和2.38?×?10-3?Ω?cm。采用無(wú)摻雜SnOx正面透明電極的SHJ太陽(yáng)能電池顯示出24.91%的效率。

此外，SnOx膜具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性，并且在電鍍過(guò)程中能夠承受酸和堿溶液的腐蝕。制備了鍍銅電極和雙面銦基透明電極減半的SHJ太陽(yáng)能電池，其認(rèn)證效率為25.94%（總面積為274.4?cm2）。

圖1：無(wú)摻雜SnOx薄膜的材料特性及其在SHJ太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用

圖2：IMO:H+SnOx雙層膜的材料特性及其在SHJ太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用

文獻(xiàn)信息

Silicon solar cell with undoped tin oxide transparent electrode

Cao Yu, Qiaojiao Zou, Qi Wang, Yu Zhao, Xiaochao Ran, Gangqiang Dong, Chen-Wei Peng, Vince Allen, Xinming Cao, Jian Zhou, Ying Zhao & Xiaodan Zhang