水溶性NaCl薄膜上GaAs模板的分子束外延

目前III-V族化合物襯底價格普遍偏高，許多技術(shù)由此受到了其成本的限制。因此，能夠重復(fù)使用原始襯底是一種可行的解決方法，但現(xiàn)有的襯底再利用技術(shù)存在明顯缺陷。在這篇文章中，研究人員討論了一種通過分子束外延在常用（001）GaAs襯底上沉積水溶性NaCl薄膜的新方法。利用原位電子束和低溫成核層，在連續(xù)的NaCl層上生長單晶GaAs模板。模板層可以通過NaCl的溶解而從襯底上快速去除，Lift-off（剝離工藝）后的原始晶片rms表面粗糙度僅增加了0.2nm。

產(chǎn)品推薦

1. kSA BandiT實(shí)時襯底溫度測試儀 是一種非接觸、實(shí)時測量半導(dǎo)體襯底表面溫度的測試系統(tǒng)，采用半導(dǎo)體材料吸收邊隨溫度的變化的原理，實(shí)時測量晶片/襯底的溫度。

2. kSA ACE 原位MBE束流監(jiān)測系統(tǒng) 是一種高靈敏度的在線原位原子束流監(jiān)測設(shè)備，它利用原子吸收光譜的原理來測量對應(yīng)原子種類的通量率。該設(shè)備可實(shí)時原位檢測原子束流密度、生長速率，實(shí)現(xiàn)對薄膜成分控制。

文獻(xiàn)信息