主要內容

在kesterite基多晶薄膜中，表面顯示的不連續(xù)性會產生較大的缺陷密度，包括應變鍵和懸空鍵。這些物理缺陷往往會引入電子缺陷和表面狀態(tài)，極大地促進電子空穴對的非輻射復合并損害器件性能。

在這篇文章中，陜西師范大學劉生忠等人報道了一種有效的螯合策略，通過用二乙基二硫代氨基甲酸鈉（NaDDTC）修飾Cu2ZnSn（S，Se）4（CZTSSe）薄膜的表面來抑制與未終止Cu、Zn和Sn位點有關的有害物理缺陷。結合理論計算和實驗結果表明，NaDDTC分子可以通過強大的雙齒螯合相互作用與CZTSSe薄膜的表面金屬配位，這有效地減少了表面欠配位缺陷并鈍化了電子陷阱態(tài)。因此，在100mWcm-2的照明下，NaDDTC處理的太陽能電池效率高達13.77%，填充因子（FF）和開路電壓（Voc）顯著提高。這種表面螯合策略為kesterite光伏的進一步發(fā)展和應用提供了強有力的表面終止和缺陷鈍化。

文獻信息

Modifying Surface Termination by Bidentate Chelating Strategy Enables 13.77% Efficient Kesterite Solar Cells