蘇州大學AFM：效率23.3%的晶體硅太陽能電池高性能透明電子選擇接觸

采用摻雜硅層基載流子選擇接觸的高效硅太陽能電池由于寄生吸收而遭受光損耗。在這篇文章中，蘇州大學張曉宏、楊新波等人提出了一種高性能的高透明度電子選擇接觸，由本征氫化非晶硅(a-Si:H)鈍化層、原子層沉積導電氧化鎂(MgOx)和低功函數鋁摻雜氧化鋅(AZO)組成。a-Si:H/MgOx/AZO疊層在晶體硅(c-Si)上具有優(yōu)異的透明電子選擇觸點，其接觸電阻率(ρc)為56.0 mΩ cm2，低復合電流密度(J0)為2.9 fA cm-2。

通過實現a-Si:H/MgOx/AZO前接觸，在硅異質結(SHJ)太陽能電池上實現了23.3%的高功率轉換效率(PCE)，與傳統(tǒng)的摻磷硅層電子選擇接觸相比，其短路電流密度(Jsc)和PCE增益分別為1.3 mA cm-2和1.2%。此外，在兩側具有無摻雜非對稱異質接觸a-Si:H/MgOx/AZO前觸點和a-Si:H/氧化釩(VOx)后觸點的c-Si太陽能電池上，PCE達到了22.8%。

High-Performance Transparent Electron-Selective Contact for Crystalline Silicon Solar Cells