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中科院半導體所AM：1.3V Voc！高效硅/鈣鈦礦疊層太陽能電池通過調控WBG鈣鈦礦實現(xiàn)

發(fā)表時間：2024-10-24 14:48

主要內(nèi)容

開發(fā)具有≈1.7 eV帶隙（Eg）的高質量寬帶隙（WBG）鈣鈦礦對于硅耦合及制造高效硅/鈣鈦礦疊層器件至關重要。開路電壓（Voc）損失大、運行時輸出功率不穩(wěn)定等問題不斷凸顯出全面開發(fā)高質量WBG鈣鈦礦薄膜的重要性。在這篇文章中，中國科學院半導體研究所游經(jīng)碧、蔣琦等人將銣和硫氰酸鹽作為WBG鈣鈦礦的添加劑調節(jié)劑加入，顯著減少了非輻射復合、離子遷移和相分離。

優(yōu)化后的1.66 eV Eg 鈣鈦礦太陽能電池實現(xiàn)了優(yōu)秀的1.3V Voc （0.36V損耗），并獲得了24.3%的穩(wěn)定功率轉換效率，以及良好的器件穩(wěn)定性，在≈65°C的1 sun下運行超過994小時后降低20%（T80）。當與平面正面硅電池集成時，硅/鈣鈦礦雙端疊層器件（30%效率）的Voc為1.97 V，T90在室溫下的工作壽命超過600小時。

文獻信息

Regulation of Wide Bandgap Perovskite by Rubidium Thiocyanate for Efficient Silicon/Perovskite Tandem Solar Cells

Zhenhan Wang, Zhaoyang Han, Xinbo Chu, Haitao Zhou, Shiqi Yu, Qian Zhang, Zhuang Xiong, Zihan Qu, Hongbo Tian, Wei Wang, Fang Wan, Yongbo Yuan, Yun Lin, Yingguo Yang, Xingwang Zhang, Qi Jiang*, Jingbi You*

https://doi.org/10.1002/adma.202407681