北京大學(xué)AM：橫向相異質(zhì)結(jié)micro-PeLED鈣鈦礦微光電器件

主要內(nèi)容

鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)工程是制備微光電器件的先決條件，但仍存在不足，目前的自上而下或自下而上技術(shù)主要集中在制備垂直異質(zhì)結(jié)堆疊。鈣鈦礦橫向異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)一般依賴外延生長，無法滿足微器件量產(chǎn)的需求。

在這篇文章中，北京大學(xué)物理學(xué)院朱瑞、王新強、楊曉宇等人提出了一種接觸擴散光刻技術(shù)，通過離子驅(qū)動局部相變來展示鈣鈦礦橫向相異質(zhì)結(jié)（LPH）多晶薄膜。在熱力學(xué)模擬的指導(dǎo)下，甲胺的接觸和遷移共同促進了α-相甲脒基鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的原位形成，而α-相甲脒基鈣鈦礦被δ相多晶包圍。