kSA Emissometer石墨盤發(fā)射率測(cè)量系統(tǒng)能快速、便捷的在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）石墨盤上產(chǎn)生漫反射和鏡面反射，從而測(cè)量其總輻射率的分布圖。石墨盤輻射率分布的變化會(huì)引起溫度分布不均勻，使得器件良品率下降，甚至導(dǎo)致整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程被浪費(fèi)。使用kSA Emissometer石墨盤發(fā)射率測(cè)量系統(tǒng)，可實(shí)時(shí)通過(guò)輻射率變化跟蹤石墨盤的使用情況，以便確定其使用壽命，防止由此引起無(wú)效生產(chǎn)。kSA Emissometer也可以檢測(cè)石墨盤烘烤后的殘余物，同時(shí)識(shí)別其表面人眼不可見(jiàn)的缺陷、劃痕、裂紋和凹坑。

系統(tǒng)采用雙傳感器設(shè)計(jì)，可在石墨盤旋轉(zhuǎn)同時(shí)進(jìn)行整個(gè)石墨盤的漫反射率、鏡面反射率及發(fā)射率二維分布Mapping測(cè)量。

物體的發(fā)射率與物體的表面狀態(tài)(包括物體表面溫度、表面粗糙度、面形以及表面氧化層、涂層、缺陷、殘留物、表面雜質(zhì)等)有關(guān)。所以，通過(guò)對(duì)石墨盤各個(gè)點(diǎn)發(fā)射率的測(cè)量可以直接反映出石墨盤表面肉眼難以觀測(cè)到的表面細(xì)節(jié)，同時(shí)基于黑體輻射原理進(jìn)一步評(píng)估石墨盤表面溫度的分布情況。這對(duì)有效控制器件的質(zhì)量，以及優(yōu)化生長(zhǎng)工藝有著幫助。

1. 根據(jù)各不同石墨盤的特征來(lái)記錄每個(gè)石墨盤的使用情況，建立跟蹤數(shù)據(jù)庫(kù)，對(duì)判斷石墨盤是否可重復(fù)利用起到參考作用。

2. 生長(zhǎng)沉積后石墨盤烘烤質(zhì)量的測(cè)定，檢測(cè)表面清潔度，是否有殘留沉積物。

3. 定量確定石墨盤表面的實(shí)際發(fā)射率，模擬出加熱情況下pocket的熱量輻射狀況，以判斷烘烤前是否需要調(diào)整加熱點(diǎn)的溫度。

4. 檢測(cè)SiC涂層上微裂紋的存在，以判斷石墨盤的壽命情況，避免碳泄露造成外延薄膜污染。

5. 通過(guò)檢測(cè)同批次的新石墨盤的發(fā)射率情況來(lái)評(píng)估相應(yīng)供應(yīng)商的產(chǎn)品質(zhì)量。

6. 預(yù)防避免由于石墨盤質(zhì)量原因造成的MOCVD的無(wú)效薄膜生長(zhǎng)運(yùn)行。

7. 建立相應(yīng)的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，有效降低企業(yè)成本。

1. 掃描尺寸：465mm或700mm；

2. 適配石墨盤：大部分商用石墨盤；

3. 掃描分辨率：徑向分辨率0.05mm，角度分辨率0.1°，用戶可自定義；

4. 掃描時(shí)間：10分鐘（465mm尺寸的石墨盤，以徑向1mm，角度0.1°測(cè)量）；

5. 測(cè)量光點(diǎn)尺寸：2mm；

6. 光源波長(zhǎng)：940nm或660nm（可選）；

7. 鏡漫反射率分辨率：±0.005；鏡漫反射率分辨率：±0.01；發(fā)射率分辨率：±0.01；發(fā)射率分辨率：±0.02；

8. 系統(tǒng)為離線測(cè)量設(shè)備，便于石墨盤的裝卸。軟件操作簡(jiǎn)單，專為操作員及工程師設(shè)計(jì)。

線性分析

統(tǒng)計(jì)分析